Основні відмінності між монокристалічними кремнієвими пластинами N-типу та P-типу для сонячних фотоелектричних
Основні відмінності між монокристалічними кремнієвими пластинами N-типу та P-типу для сонячних фотоелектричних пристроїв
Пластини монокристалічного кремнію мають фізичні властивості квазіметалів зі слабкою провідністю, і їх провідність зростає з підвищенням температури. Вони також мають значні напівпровідникові властивості. Додаючи невелику кількість бору в надчисті монокристалічні кремнієві пластини, провідність можна збільшити, щоб утворити кремнієвий напівпровідник P-типу. Подібним чином легування невеликою кількістю фосфору або миш’яку також може збільшити провідність, утворюючи кремнієвий напівпровідник N-типу. Отже, які відмінності між кремнієвими пластинами P-типу та N-типу?
Основні відмінності між монокристалічними кремнієвими пластинами P-типу та N-типу полягають у наступному:
Добавка: у монокристалічному кремнії легування фосфором робить його N-типу, а легування бором робить його P-типом.
Провідність: N-тип електропровідний, а P-тип дірковий.
Продуктивність: чим більше фосфору леговано в N-тип, тим більше вільних електронів є, тим сильніша провідність і нижчий питомий опір. Чим більше бору додається до P-типу, тим більше дірок утворюється шляхом заміни кремнію, тим сильніша провідність і нижчий питомий опір.
В даний час кремнієві пластини P-типу є основними продуктами фотоелектричної промисловості. Кремнієві пластини Р-типу прості у виготовленні та мають низьку вартість. Кремнієві пластини N-типу зазвичай мають довший термін служби неосновних носіїв, і ефективність сонячних елементів можна підвищити, але процес є більш складним. Кремнієві пластини N-типу леговані фосфором, який погано розчиняється кремнієм. Під час витягування стрижня фосфор розподіляється нерівномірно. Кремнієві пластини P-типу леговані бором, який має подібний до кремнію коефіцієнт поділу, і однорідність дисперсії легко контролювати.